PBRN113ES,126
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBRN113ES,126
- Κατασκευαστής:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 82919 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBRN113ES,126.pdf
Εισαγωγή
We can supply PBRN113ES,126, use the request quote form to request PBRN113ES,126 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PBRN113ES,126.The price and lead time for PBRN113ES,126 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PBRN113ES,126.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-PBRN113ES,126 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 40V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| transistor Τύπος: | NPN - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-92-3 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 1 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 1 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 700mW |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Αλλα ονόματα: | 934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 300mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 800mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PBRN113 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBRN113ES,126
Latest Ειδήσεις
- Η NXP συνεργάζεται με την Amazon Web Services (AWS) για να επεκτείνει τις επιχειρηματικές ευκαιρίες για συνδεδεμένα οχήματα
- Η NXP Semiconductors ανακοινώνει τριμηνιαίο μέρισμα
- Οι ημιαγωγοί NXP και το Jefferies θα επιδείξουν διδασκαλία συστήματος ισχύος 5G RF
- Η NXP επεκτείνει την ηγετική της θέση στην υποδομή 5G με μονάδες πολλαπλών τσιπ RF δεύτερης γενιάς που αυξάνουν τη συχνότητα, την ισχύ και την αποδοτικότητα
- Η NXP ανακοίνωσε ένα πλήρες κιτ λύσης αισθητήρα ραντάρ που μπορεί να περιβάλλει το όχημα σε κουκούλα ασφαλείας 360 μοιρών