русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > IMB5AT108
IMB5AT108
Тип продуктов:
IMB5AT108
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
49810 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IMB5AT108.pdf
запрос

Введение

We can supply IMB5AT108, use the request quote form to request IMB5AT108 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IMB5AT108.The price and lead time for IMB5AT108 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IMB5AT108.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-IMB5AT108
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:-
Тип транзистор:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:SMT6
Серии:-
Резистор - основание эмиттера (R2):22 kOhms
Резистор - основание (R1):22 kOhms
Мощность - Макс:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SC-74, SOT-457
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:-
Подробное описание:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA Surface Mount SMT6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):-
Ток - коллектор (Ic) (Макс):30mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IMB5AT108

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IMBD4448-E3-08 Image IMBD4448-E3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB4AT110 Image IMB4AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 запрос
IMB36656C Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M запрос
IMBD4148-HE3-18 Image IMBD4148-HE3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMBD4148-HE3-08 Image IMBD4148-HE3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB9AT110 Image IMB9AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 запрос
IMBD4448-E3-18 Image IMBD4448-E3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMBD4148-E3-08 Image IMBD4148-E3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36654C Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M запрос
IMB36654M8 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMBD4148-E3-18 Image IMBD4148-E3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMBD4148-G3-18 Image IMBD4148-G3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36656M12 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос
IMB36652M8 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMB36652M12 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос
IMB36656M8 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMBD4148-G3-08 Image IMBD4148-G3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB3AT110 Image IMB3AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 запрос
IMB7AT108 Image IMB7AT108 LAPIS Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 запрос
IMB36654M12 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос

Latest Новости