內部型號 | RO-IMB5AT108 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | - |
晶體管類型: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | SMT6 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 22 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 22 kOhms |
功率 - 最大: | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-74, SOT-457 |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | - |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA Surface Mount SMT6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | - |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 30mA |
Email: | [email protected] |