русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT35SM70B
APT35SM70B
Тип продуктов:
APT35SM70B
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 700V TO247
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
71232 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT35SM70B.pdf
запрос

Введение

We can supply APT35SM70B, use the request quote form to request APT35SM70B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT35SM70B.The price and lead time for APT35SM70B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT35SM70B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT35SM70B
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс.):+25V, -10V
Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:145 mOhm @ 10A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс):176W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1035pF @ 700V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:67nC @ 20V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):20V
Слить к источнику напряжения (VDSS):700V
Подробное описание:N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT35SM70B

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK запрос
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 запрос
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 запрос
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK запрос
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX запрос
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 запрос
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 запрос
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 запрос
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 запрос
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX запрос
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX запрос
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 запрос
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 запрос
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 запрос
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 запрос
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 запрос
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос

Latest Новости