русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
Тип продуктов:
APT36GA60BD15
производитель:
Microsemi
Описание:
IGBT 600V 65A 290W TO-247
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
71038 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT36GA60BD15.pdf
запрос

Введение

We can supply APT36GA60BD15, use the request quote form to request APT36GA60BD15 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT36GA60BD15.The price and lead time for APT36GA60BD15 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT36GA60BD15.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT36GA60BD15
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 20A
режим для испытаний:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C:16ns/122ns
Переключение энергии:307µJ (on), 254µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247 [B]
Серии:POWER MOS 8™
Мощность - Макс:290W
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода:Standard
Тип IGBT:PT
Заряд затвора:18nC
Подробное описание:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
Ток - Коллектор Импульсные (ICM):109A
Ток - коллектор (Ic) (Макс):65A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT36GA60BD15

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 запрос
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 запрос
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX запрос
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 запрос
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK запрос
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 запрос
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 запрос
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 запрос
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 запрос
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 запрос
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 запрос
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 запрос
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX запрос
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP запрос
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX запрос
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 запрос
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK запрос

Latest Новости