Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT35SM70B
APT35SM70B
Modelo do Produto:
APT35SM70B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 700V TO247
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
71232 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APT35SM70B.pdf
inquérito

Introdução

We can supply APT35SM70B, use the request quote form to request APT35SM70B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT35SM70B.The price and lead time for APT35SM70B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT35SM70B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificações

Número de peça interno RO-APT35SM70B
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -10V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:145 mOhm @ 10A, 20V
Dissipação de energia (Max):176W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1035pF @ 700V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:67nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):700V
Descrição detalhada:N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para APT35SM70B

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK inquérito
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 inquérito
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 inquérito
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 inquérito
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK inquérito
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX inquérito
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 inquérito
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 inquérito
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 inquérito
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 inquérito
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 inquérito
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX inquérito
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 inquérito
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX inquérito
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 inquérito
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 inquérito
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 inquérito
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 inquérito
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 inquérito
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 inquérito

Latest Notícias