TK16E60W,S1VX
- Modelo do Produto:
- TK16E60W,S1VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 50161 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TK16E60W,S1VX.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-TK16E60W,S1VX |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 790µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220 |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 130W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | TK16E60W,S1VX(S TK16E60WS1VX |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 15.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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