SI1905BDH-T1-E3
Modelo do Produto:
SI1905BDH-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
65021 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI1905BDH-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI1905BDH-T1-E3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6 (SOT-363)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Power - Max:357mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:62pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:630mA
Número da peça base:SI1905
Email:[email protected]

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