SI1905BDH-T1-E3
- Nomor bagian:
- SI1905BDH-T1-E3
- Pabrikan:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Deskripsi:
- MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
- Status RoHS:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah dalam Stok:
- 65021 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Waktu produksi:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SI1905BDH-T1-E3.pdf
pengantar
We can supply SI1905BDH-T1-E3, use the request quote form to request SI1905BDH-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI1905BDH-T1-E3.The price and lead time for SI1905BDH-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI1905BDH-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spesifikasi
| Nomor Bagian Internal | RO-SI1905BDH-T1-E3 |
|---|---|
| Kondisi | Original New |
| Negara Asal | Contact us |
| Penandaan Top | email us |
| Penggantian | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Paket Perangkat pemasok: | SC-70-6 (SOT-363) |
| Seri: | TrenchFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Listrik - Max: | 357mW |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 62pF @ 4V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| FET Jenis: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fitur FET: | Logic Level Gate |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 8V |
| Detil Deskripsi: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 630mA |
| Nomor Bagian Dasar: | SI1905 |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SI1905BDH-T1-E3
Latest Berita
- Toshiba meluncurkan SmartMCD Seri Gate Driver IC dengan mikrokontroler tertanam
- ADI Deployment Sambanova Kit, Mempromosikan Formula AI Produksi untuk mencapai terobosan di tingkat perusahaan
- Honeywell dan Adi bergandengan tangan untuk mempromosikan inovasi dan perubahan otomatisasi bangunan
- Maxim mengumumkan peluncuran
- Maxim meluncurkan CAR DC-DC Converter MAX16984, mobil dengan enumer pengisian USB terintegrasi
- Renesas Electronics Meluncurkan IC Driver Listrik Pertama yang Dapat Diprogram Industri
- Renesas meluncurkan generasi pertama kernel CPU RISC-V 32-bit
- Vishay meluncurkan kopling cahaya rendah 10 MBD baru, serendah 5 mA, rentang tegangan adalah 2,7 V hingga 5,5 V
- Melexis meluncurkan solusi pengalihan cerdas baru untuk mengintegrasikan keamanan yang dapat diandalkan
- Toshiba telah mengembangkan modul MOSFET dual -carbide 2200V pertama di industri ini untuk membantu efisien dan miniaturisasi peralatan industri
- Era DDR5 semakin dekat, dan tantangan baru tidak dapat diabaikan
- Renesas membuka peta rute produk Soc dan MCU Processor Generation Next