RN1108(T5L,F,T)
- Modelo do Produto:
- RN1108(T5L,F,T)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 70646 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RN1108(T5L,F,T).pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-RN1108(T5L,F,T) |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SSM |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-75, SOT-416 |
| Outros nomes: | RN1108(T5LFT)CT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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