RN1107ACT(TPL3)
- Modelo do Produto:
- RN1107ACT(TPL3)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 56466 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RN1107ACT(TPL3).pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-RN1107ACT(TPL3) |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | CST3 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-101, SOT-883 |
| Outros nomes: | RN1107ACT(TPL3)CT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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