IXFT16N120P
IXFT16N120P
Modelo do Produto:
IXFT16N120P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
86102 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFT16N120P.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXFT16N120P
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™, PolarP2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):660W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V
Descrição detalhada:N-Channel 1200V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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