IXFT18N90P
IXFT18N90P
Modelo do Produto:
IXFT18N90P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
79741 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFT18N90P.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXFT18N90P
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™, PolarP2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):540W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:97nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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