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IXFT16N120P
IXFT16N120P
型號:
IXFT16N120P
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
86102 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
IXFT16N120P.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-IXFT16N120P
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:6.5V @ 1mA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-268
系列:HiPerFET™, PolarP2™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:950 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散（最大）:660W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:6900pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:120nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:1200V
詳細說明:N-Channel 1200V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
電流 - 25°C連續排水（Id）:16A (Tc)
Email:[email protected]

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