GT8G133(TE12L,Q)
Modelo do Produto:
GT8G133(TE12L,Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
53424 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
GT8G133(TE12L,Q).pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-GT8G133(TE12L,Q)
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):400V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.9V @ 4V, 150A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:1.7µs/2µs
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:-
Power - Max:600mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição detalhada:IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Atual - Collector Pulsada (ICM):150A
Email:[email protected]

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