GT8G133(TE12L,Q)
Modèle de produit:
GT8G133(TE12L,Q)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
53424 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
GT8G133(TE12L,Q).pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-GT8G133(TE12L,Q)
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):400V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 4V, 150A
Condition de test:-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:1.7µs/2µs
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:8-TSSOP
Séries:-
Puissance - Max:600mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Email:[email protected]

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