CUS08F30,H3F
CUS08F30,H3F
Modelo do Produto:
CUS08F30,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
86822 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CUS08F30,H3F.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-CUS08F30,H3F
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:220mV @ 10mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):30V
Embalagem do dispositivo fornecedor:USC
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-76, SOD-323
Outros nomes:CUS08F30,H3F(B
CUS08F30,H3F(T
CUS08F30H3FTR
Temperatura de Operação - Junção:125°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
Descrição detalhada:Diode Schottky 30V 800mA Surface Mount USC
Atual - dispersão reversa @ Vr:50µA @ 30V
Atual - rectificada média (Io):800mA
Capacitância @ Vr, F:170pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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