GT60N321(Q)
- Part Number:
- GT60N321(Q)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 83248 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GT60N321(Q).pdf
Wprowadzenie
We can supply GT60N321(Q), use the request quote form to request GT60N321(Q) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number GT60N321(Q).The price and lead time for GT60N321(Q) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# GT60N321(Q).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-GT60N321(Q) |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1000V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.8V @ 15V, 60A |
| Stan testu: | - |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 330ns/700ns |
| Przełączanie Energy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-3P(LH) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 2.5µs |
| Moc - Max: | 170W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-3PL |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 120A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 60A |
| Podstawowy numer części: | GT60 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GT60N321(Q)
Latest Aktualności
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego
- TOSHIBA wydała pierwsze optoupler samochodowy tranzystorowy 200V
- TOSHIBA wprowadza na rynek wysoki współczynnik tłumienia tętnień i niskoszumowy regulator LDO o wyższej stabilności linii zasilającej
- TOSHIBA wprowadza cienkie i lekkie transoptory do napędów bramek IGBT i MOSFET, pracy w wysokich temperaturach, z tyłu lub z ograniczoną wysokością: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA wprowadza na rynek dyskretne tranzystory IGBT, które pomagają zmniejszyć zużycie energii i promieniowanie urządzeń gospodarstwa domowego: GT30J110SRA
- Toshiba wprowadza na rynek 2-kanałowy układ scalony sterownika silnika z mostkiem H 5A do zastosowań motoryzacyjnych
- Toshiba wprowadza na rynek 5 nowych zaawansowanych mikrokontrolerów z rodziny TXZ + ™ w celu uzyskania niskiego zużycia energii, wsparcia miniaturyzacji systemu i sterowania silnikiem