GT60N321(Q)
- Osa numero:
- GT60N321(Q)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kuvaus:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 83248 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- GT60N321(Q).pdf
esittely
We can supply GT60N321(Q), use the request quote form to request GT60N321(Q) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number GT60N321(Q).The price and lead time for GT60N321(Q) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# GT60N321(Q).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-GT60N321(Q) |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1000V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.8V @ 15V, 60A |
| Testaa kunto: | - |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 330ns/700ns |
| Switching Energy: | - |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P(LH) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 2.5µs |
| Virta - Max: | 170W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3PL |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 120A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 60A |
| Perusosan osanumero: | GT60 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat GT60N321(Q)
Latest News
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- Toshiba julkaisi ensimmäisen 200V transistorilähdön auto optoerotin
- TOSHIBA tuo markkinoille korkean aaltoilun hylkäyssuhteen ja matalan melutason LDO-säätimen, jolla on parempi voimajohtojen vakaus
- TOSHIBA esitteli kevyet ja ohuet optoerottimet IGBT- ja MOSFET-porttiasemille, korkean lämpötilan toiminnalle, takapuolelle tai korkeudelle rajoitetut asennot: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA tuo markkinoille erilliset IGBT-laitteet, jotka auttavat vähentämään kodinkoneiden virrankulutusta ja säteilyä: GT30J110SRA
- Toshiba tuo markkinoille 5A 2-kanavan H-sillan moottoriohjaimen IC autosovelluksiin
- Toshiba tuo markkinoille 5 uutta TXZ + ™ -perheen edistynyttä mikrokontrolleria pienen virrankulutuksen, tukijärjestelmän pienentämisen ja moottorin ohjauksen saavuttamiseksi