ISL9R8120S3ST
- Onderdeel nummer:
- ISL9R8120S3ST
- Fabrikant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschrijving:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
- RoHS-status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- hoeveelheid in voorraad:
- 75790 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Productie tijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- ISL9R8120S3ST.pdf
Invoering
We can supply ISL9R8120S3ST, use the request quote form to request ISL9R8120S3ST pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ISL9R8120S3ST.The price and lead time for ISL9R8120S3ST depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ISL9R8120S3ST.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
bestek
| Intern onderdeelnummer | RO-ISL9R8120S3ST |
|---|---|
| Staat | Original New |
| Land van oorsprong | Contact us |
| Top Markering | email us |
| Vervanging | See datasheet |
| Spanning - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Spanning - Forward (Vf) (Max) @ Als: | 8A |
| Voltage - Breakdown: | TO-263AB |
| Serie: | Stealth™ |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Reverse Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistance @ Als, F: | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Polarisatie: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere namen: | ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR |
| Bedrijfstemperatuur - aansluiting: | 300ns |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | ISL9R8120S3ST |
| Uitgebreide beschrijving: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| diode Configuration: | 100µA @ 1200V |
| Beschrijving: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
| Current - Reverse Lekkage @ Vr: | 3.3V @ 8A |
| Current - gemiddelde gelijkgerichte (Io) (per Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capaciteit @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor ISL9R8120S3ST
Latest Nieuws
- Toshiba lanceert SmartMCD -serie Gate Driver IC met ingebedde microcontroller
- ADI -implementatie Sambanova -kit, die de productieformule AI promoot om doorbraak te bereiken op een bedrijfsniveau
- Honeywell en Adi hebben de handen in elkaar gekomen om de innovatie en verandering van het bouwen van automatisering te bevorderen
- Maxim kondigde de lancering aan
- Maxim Lanceert een auto DC-DC-converter Max16984, een auto met geïntegreerde USB-oplaadraamers
- Renesas Electronics lanceert de eerste programmeerbare elektrische stuurprogramma's van de industrie
- Renesas lanceerde de eerste generatie van 32-bit RISC-V CPU-kernel
- Vishay lanceerde de nieuwe lichtkoppeling van 10 MBD low -power, zo laag als 5 mA, het spanningsbereik is 2,7 V tot 5,5 V
- Melexis lanceerde een nieuwe intelligente divert -oplossing om betrouwbare beveiliging te integreren
- Toshiba heeft de eerste 2200V dual -carbide MOSFET -module van de industrie ontwikkeld om de efficiënte en miniaturisatie van industriële apparatuur te helpen
- Het DDR5 -tijdperk nadert en nieuwe uitdagingen kunnen niet worden genegeerd
- Renesas opent de volgende -generatie auto SOC en MCU -processor productroute kaart