ISL9R8120S3ST
- Тип продуктов:
- ISL9R8120S3ST
- производитель:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Описание:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 75790 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- ISL9R8120S3ST.pdf
Введение
We can supply ISL9R8120S3ST, use the request quote form to request ISL9R8120S3ST pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ISL9R8120S3ST.The price and lead time for ISL9R8120S3ST depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ISL9R8120S3ST.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-ISL9R8120S3ST |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Standard |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 8A |
| Напряжение - Разбивка: | TO-263AB |
| Серии: | Stealth™ |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | 30pF @ 10V, 1MHz |
| поляризация: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR |
| Рабочая температура - Соединение: | 300ns |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | ISL9R8120S3ST |
| Расширенное описание: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| Диод Конфигурация: | 100µA @ 1200V |
| Описание: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 3.3V @ 8A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Емкостной @ В.Р., F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для ISL9R8120S3ST
Latest Новости
- На датчике с низким уровнем изображения Anmei, обращенной к современной визуальной системе
- ADI сотрудничает с BMW Group, чтобы запустить ведущую отраслевую технологию 10 МБ Car Ethernet, открывая новую главу в области определения программного обеспечения.
- Vishay запускает потенциометр ручки, упрощая проектирование промышленного и аудио и оптимизации затрат
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности