ISL9R8120S3ST
ISL9R8120S3ST
部品型番:
ISL9R8120S3ST
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
75790 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
ISL9R8120S3ST.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-ISL9R8120S3ST
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - ピーク逆(最大):Standard
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:8A
電圧 - ブレークダウン:TO-263AB
シリーズ:Stealth™
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
逆回復時間(trrの):Fast Recovery = 200mA (Io)
もし、F @抵抗:30pF @ 10V, 1MHz
偏光:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:ISL9R8120S3ST-ND
ISL9R8120S3STFSTR
動作温度 - ジャンクション:300ns
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:ISL9R8120S3ST
拡張された説明:Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
ダイオード構成:100µA @ 1200V
説明:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:3.3V @ 8A
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):1200V (1.2kV)
Vrと、F @キャパシタンス:-55°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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