Intern onderdeelnummer | RO-GA10SICP12-263 |
---|---|
Staat | Original New |
Land van oorsprong | Contact us |
Top Markering | email us |
Vervanging | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | - |
Vgs (Max): | - |
Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Leverancier Device Pakket: | D2PAK (7-Lead) |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 10A |
Vermogensverlies (Max): | 170W (Tc) |
Packaging: | Tube |
Verpakking / doos: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Andere namen: | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
Temperatuur: | 175°C (TJ) |
montage Type: | Surface Mount |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikant Standaard Levertijd: | 18 Weeks |
Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
FET Type: | - |
FET Feature: | - |
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | - |
Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 1200V |
gedetailleerde beschrijving: | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |