SSM3J35MFV,L3F
SSM3J35MFV,L3F
제품 모델:
SSM3J35MFV,L3F
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
44426 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
SSM3J35MFV,L3F.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-SSM3J35MFV,L3F
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):-
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:VESM
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):8 Ohm @ 50mA, 4V
전력 소비 (최대):150mW (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-723
다른 이름들:SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFVTL3T
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:12.2pF @ 3V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100mA (Ta)
Email:[email protected]

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