SSM3J35MFV,L3F
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SSM3J35MFV,L3F
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 44426 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SSM3J35MFV,L3F.pdf
Εισαγωγή
We can supply SSM3J35MFV,L3F, use the request quote form to request SSM3J35MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SSM3J35MFV,L3F.The price and lead time for SSM3J35MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SSM3J35MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-SSM3J35MFV,L3F |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | VESM |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 150mW (Ta) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-723 |
| Αλλα ονόματα: | SSM3J35MFV(TL3,T) SSM3J35MFV(TL3T)TR SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND SSM3J35MFV,L3F(B SSM3J35MFV,L3F(T SSM3J35MFVL3F SSM3J35MFVL3F(B SSM3J35MFVL3F(T SSM3J35MFVL3FTR SSM3J35MFVTL3T |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.2pF @ 3V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 20V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SSM3J35MFV,L3F
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Toshiba κυκλοφόρησε το πρώτο 200V τρανζίστορ optocoupler αυτοκίνητο παραγωγής
- Η TOSHIBA εγκαινιάζει υψηλή αναλογία απόρριψης κυματισμού και ρυθμιστή χαμηλού θορύβου LDO με υψηλότερη σταθερότητα γραμμής ισχύος
- Η TOSHIBA εισάγει λεπτούς και ελαφρούς οπτοζεύκτες για κίνηση IGBT και MOSFET, λειτουργία υψηλής θερμοκρασίας, οπίσθιες θέσεις ή θέσεις περιορισμού ύψους: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- Η TOSHIBA λανσάρει διακριτά IGBT που βοηθούν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και της ακτινοβολίας οικιακών συσκευών: GT30J110SRA
- Η Toshiba λανσάρει 5Α 2-καναλιών H-Bridge κινητήρα IC για εφαρμογές αυτοκινήτων
- Η Toshiba λανσάρει 5 νέους εξελιγμένους μικροελεγκτές οικογένειας TXZ + ™ για να επιτύχει χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, μικρογραφία συστήματος υποστήριξης και έλεγχο κινητήρα