SI2342DS-T1-GE3
- 제품 모델:
- SI2342DS-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 50963 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SI2342DS-T1-GE3.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 테스트: | 1070pF @ 4V |
| 전압 - 파괴: | SOT-23 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs (최대): | 1.2V, 4.5V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | TrenchFET® |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 6A (Tc) |
| 편광: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 24 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SI2342DS-T1-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
| IGBT 유형: | ±5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 8V |
| 용량 비율: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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