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EMF24T2R
EMF24T2R
제품 모델:
EMF24T2R
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
83755 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
EMF24T2R.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-EMF24T2R
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
트랜지스터 유형:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
제조업체 장치 패키지:EMT6
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):10 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms
전력 - 최대:150mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz, 180MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA, 150mA
Email:[email protected]

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