2SC5201,T6MURAF(J
제품 모델:
2SC5201,T6MURAF(J
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
61690 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
2SC5201,T6MURAF(J.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-2SC5201,T6MURAF(J
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):600V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):1V @ 500mA, 20mA
트랜지스터 유형:NPN
제조업체 장치 패키지:TO-92MOD
연속:-
전력 - 최대:900mW
포장:Bulk
패키지 / 케이스:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
다른 이름들:2SC5201T6MURAF(J
2SC5201T6MURAFJ
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:-
상세 설명:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:100 @ 20mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):1µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):50mA
Email:[email protected]

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