Interne Teilenummer | RO-2SC5201,T6MURAF(J |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 500mA, 20mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92MOD |
Serie: | - |
Leistung - max: | 900mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Andere Namen: | 2SC5201T6MURAF(J 2SC5201T6MURAFJ |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 20mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50mA |
Email: | [email protected] |