内部モデル | RO-ZXTD3M832TA |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 40V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 370mV @ 250mA, 2.5A |
トランジスタ型式: | 2 PNP (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-MLP (3x2) |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 1.7W |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-VDFN Exposed Pad |
他の名前: | ZXTD3M832CT ZXTD3M832TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 190MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 190MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 60 @ 1.5A, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 25nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 3A |
ベース部品番号: | ZXTD3M832 |
Email: | [email protected] |