內部型號 | RO-ZXTD3M832TA |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 40V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 370mV @ 250mA, 2.5A |
晶體管類型: | 2 PNP (Dual) |
供應商設備封裝: | 8-MLP (3x2) |
系列: | - |
功率 - 最大: | 1.7W |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | 8-VDFN Exposed Pad |
其他名稱: | ZXTD3M832CT ZXTD3M832TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 190MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 190MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 60 @ 1.5A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大): | 25nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 3A |
基礎部件號: | ZXTD3M832 |
Email: | [email protected] |