内部モデル | RO-TPD3215M |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | - |
サプライヤデバイスパッケージ: | Module |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 34 mOhm @ 30A, 8V |
電力 - 最大: | 470W |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | Module |
他の名前: | TPH3215M TPH3215M-ND |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2260pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 28nC @ 8V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |