内部モデル | RO-SIA421DJ-T1-GE3 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 950pF @ 15V |
電圧 - ブレークダウン: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
同上@ VGS(TH)(最大): | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12A (Tc) |
偏光: | PowerPAK® SC-70-6 |
他の名前: | SIA421DJ-T1-GE3TR SIA421DJT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SIA421DJ-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 29nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3V @ 250µA |
FET特長: | P-Channel |
拡張された説明: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30V |
静電容量比: | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Email: | [email protected] |