SI7858ADP-T1-GE3
- 部品型番:
- SI7858ADP-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 48781 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI7858ADP-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-SI7858ADP-T1-GE3 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 1.9W (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 |
| 他の名前: | SI7858ADP-T1-GE3TR SI7858ADPT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 33 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 5700pF @ 6V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 80nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 12V |
| 詳細な説明: | N-Channel 12V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 20A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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