内部モデル | RO-SI7852DP-T1-GE3 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 250µA (Min) |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 16.5 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大): | 1.9W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 |
他の名前: | SI7852DP-T1-GE3-ND SI7852DP-T1-GE3TR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 41nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 80V |
詳細な説明: | N-Channel 80V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |