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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス > RN2130MFV,L3F
RN2130MFV,L3F
部品型番:
RN2130MFV,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
52597 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
RN2130MFV,L3F.pdf
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規格

内部モデル RO-RN2130MFV,L3F
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:VESM
シリーズ:-
抵抗器ベース（R2）:100 kOhms
抵抗器 - ベース（R1）:100 kOhms
電力 - 最大:150mW
パッケージ/ケース:SOT-723
他の名前:RN2130MFVL3F
装着タイプ:Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:100 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:100mA
Email:[email protected]

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