内部モデル | RO-IMD14T108 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 5mA, 100mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SMT6 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 220 Ohms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-74, SOT-457 |
他の名前: | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 250MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 82 @ 100mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
ベース部品番号: | MD14 |
Email: | [email protected] |