內部型號 | RO-IMD14T108 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 5mA, 100mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | SMT6 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 10 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 220 Ohms |
功率 - 最大: | 300mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-74, SOT-457 |
其他名稱: | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 250MHz |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 82 @ 100mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 500mA |
基礎部件號: | MD14 |
Email: | [email protected] |