TPN2R304PL,L1Q
- Modello di prodotti:
- TPN2R304PL,L1Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 80A TSON
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 48233 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TPN2R304PL,L1Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 0.3mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PLL1QTR |
| temperatura di esercizio: | 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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