THGAF8T1T83BAIR
Modello di prodotti:
THGAF8T1T83BAIR
fabbricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione:
IC FLASH 2T UFS 153VFBGA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
86819 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
THGAF8T1T83BAIR.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-THGAF8T1T83BAIR
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore:153-VFBGA (11.5x13)
Serie:Consumer UFS
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:153-VFBGA
Altri nomi:THGAF8T1T83BAIRYGJ
temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:2Tb (256G x 8)
Interfaccia di memoria:UFS
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)
Email:[email protected]

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