TC58BYG2S0HBAI6
- Modello di prodotti:
- TC58BYG2S0HBAI6
- fabbricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descrizione:
- IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 48819 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TC58BYG2S0HBAI6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 25ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND (SLC) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Serie: | Benand™ |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 67-VFBGA |
| Altri nomi: | TC58BYG2S0HBAI6JDH TC58BYG2S0HBAI6YCL |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Tempo di accesso: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
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