TC58BYG0S3HBAI4
Modello di prodotti:
TC58BYG0S3HBAI4
fabbricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
86831 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
TC58BYG0S3HBAI4.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-TC58BYG0S3HBAI4
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:25ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore:63-TFBGA (9x11)
Serie:Benand™
Contenitore / involucro:63-VFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria:-
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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