SIHU2N80E-GE3
- Modello di prodotti:
- SIHU2N80E-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 66335 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SIHU2N80E-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SIHU2N80E-GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | IPAK (TO-251) |
| Serie: | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 62.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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