SIHU2N80E-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHU2N80E-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 66335 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SIHU2N80E-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SIHU2N80E-GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | IPAK (TO-251) |
| Série: | E |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 62.5W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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