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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2031
EPC2031
EPC2031
Modello di prodotti:
EPC2031
fabbricante:
EPC
Descrizione:
MOSFET NCH 60V 31A DIE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
60293 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2031.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2031
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 15mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 mOhm @ 30A, 5V
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Altri nomi:917-1151-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 31A (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2031

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Inchiesta
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