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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2030
EPC2030
EPC2030
Modello di prodotti:
EPC2030
fabbricante:
EPC
Descrizione:
MOSFET NCH 40V 31A DIE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
48200 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2030.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2030
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 16mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.4 mOhm @ 30A, 5V
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Altri nomi:917-1150-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 31A (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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