Numero di parte interno | RO-CPMF-1200-S160B |
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Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (Max): | +25V, -5V |
Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
Serie: | Z-FET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 220 mOhm @ 10A, 20V |
Dissipazione di potenza (max): | 202W (Tj) |
imballaggio: | Bulk |
Contenitore / involucro: | Die |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 928pF @ 800V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 47.1nC @ 20V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 28A (Tj) 202W (Tj) Surface Mount Die |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tj) |
Email: | [email protected] |