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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT75DA170T1G
APTGT75DA170T1G
Modello di prodotti:
APTGT75DA170T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1700V 130A 465W SP1
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
64420 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APTGT75DA170T1G.pdf2.APTGT75DA170T1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTGT75DA170T1G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1700V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Potenza - Max:465W
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:6.8nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 130A 465W Chassis Mount SP1
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):130A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGT75DA170T1G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APTGT75A60T1G Image APTGT75A60T1G Microsemi IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 Inchiesta
APTGT75DDA60T3G Microsemi IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 Inchiesta
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APTGT75A120D1G Microsemi IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Inchiesta
APTGT75A1202G Microsemi MOD IGBT 1200V 110A SP2 Inchiesta
APTGT75DA170D1G Microsemi IGBT 1700V 120A 520W D1 Inchiesta
APTGT75DA120TG Image APTGT75DA120TG Microsemi IGBT 1200V 110A 357W SP4 Inchiesta
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APTGT75A120T1G Image APTGT75A120T1G Microsemi POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 Inchiesta
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