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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
Modello di prodotti:
APTGT75DA170D1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1700V 120A 520W D1
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
39191 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTGT75DA170D1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTGT75DA170D1G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1700V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore:D1
Serie:-
Potenza - Max:520W
Contenitore / involucro:D1
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:6.5nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 120A 520W Chassis Mount D1
Corrente - Cutoff collettore (max):5mA
Corrente - collettore (Ic) (max):120A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGT75DA170D1G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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