Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > EPC2016C
EPC2016C
EPC2016C
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2016C
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
71327 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2016C.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2016C, use the request quote form to request EPC2016C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2016C.The price and lead time for EPC2016C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2016C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2016C
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:Die
Σειρά:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 11A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max):-
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:Die
Αλλα ονόματα:917-1080-2
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:12 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:4.5nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 18A (Ta) Surface Mount Die
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2016C

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Έρευνα
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Έρευνα

Latest Ειδήσεις